[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200410011799.0 | 申请日： | 2004-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1755951A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 杜全成;林锦源 | 申请（专利权）人： | 国联光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法。此发光二极管包括一发光结构、一硅基板及一接合层。发光结构包括二层半导体层，二层半导体层为不同掺杂类型。发光结构通入一电流时发光。硅基板包括二个区域，二个区域为不同掺杂类型。接合层供接合发光结构与硅基板，使最近的半导体层与区域为不同掺杂类型。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：一发光结构，包括二层半导体层，该二层半导体层为不同掺杂类型，该发光结构通入一电流时发光；一硅基板，包括二个区域，该二个区域为不同掺杂类型；以及一接合层，供接合该发光结构与该硅基板，使最近的该半导体层与该区域为不同掺杂类型。
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