[发明专利]阻挡层抛光流体有效
| 申请号： | 200410011818.X | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1616571A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 卞锦儒 | 申请（专利权）人： | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 该抛光流体适用于抛光半导体衬底的含钽阻挡层材料。该抛光流体包含具有至少两个氮原子的含氮化合物并且该含氮化合物包括亚胺化合物和肼化合物。该含氮化合物不含吸电子取代基；而且该抛光流体能够从半导体衬底的表面除去含钽的阻挡层材料而无需研磨剂。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 抛光 流体 | ||
【主权项】：
1.用于抛光半导体衬底的含钽阻挡层材料的抛光流体，该流体包含：具有至少两个氮原子的含氮化合物，该含氮化合物包含至少一种选自如下式的化合物：亚胺化合物![]()
和肼化合物R3R4N-NR5R6 (II)其中R1包括-H或-NH2而R2，R3，R4，R5和R6独立地包括选自下列的取代基：-H，烃基，氨基，羰基，亚氨基，偶氮基，氰基，硫基，硒基和其中的R7包含烃基的-OR7，并且该含氮化合物不含吸电子取代基；该抛光流体能够无需研磨剂的从半导体衬底的表面去除含钽的阻挡层材料。
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