[发明专利]生产多芯片模块的方法和多芯片模块有效

专利信息
申请号: 200410011838.7 申请日: 2004-09-22
公开(公告)号: CN1604309A 公开(公告)日: 2005-04-06
发明(设计)人: 哈里·黑德勒;罗兰·伊尔希格勒 申请(专利权)人: 印芬龙科技股份有限公司
主分类号: H01L21/98 分类号: H01L21/98;H01L25/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 联邦德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明提供一种生产多芯片模块的方法,有以下步骤:(a)在衬底上涂敷至少一个接点高地;(b)在衬底上涂敷和形成图案再接线图样并在至少一个接点高地上有接点图样构造的至少一个接点高地;(c)在有电接触连接的再接线图样的衬底上涂敷半导体芯片;(d)在半导体芯片,衬底,再接线图样和至少一个接点高地上涂敷不导电的密封图样,在至少一个接点高地上的接点图样至少触到密封图样的第一表面;(e)重复步骤(a)和(b)至少一次,密封图样的第一表面作为衬底,并且相应的产生再接线图样,与下面平面的至少一个接点高地的接点图样作电的接触。本发明同样提供多芯片模块。
搜索关键词: 生产 芯片 模块 方法
【主权项】:
1.一种生产多芯片模块的方法,包括步骤:(a)在衬底(10)上涂敷至少一个接点高地(11);(b)在衬底(10)上涂敷和图案形成再接线图样(12),并且在至少一个接点高地(11)上有接点图样(13)构造的至少一个接点高地(11);(c)在有电的接触连接的再接线图样(12)的衬底(10)上涂敷半导体芯片(15);(d)在半导体芯片(15)、衬底(10)、再接线图样(12)和至少一个接点高地(11)上涂敷不导电的密封图样(16),在至少一个接点高地(11)上的接点图样(13)至少接触到密封图样(16)的第一表面(16′);(e)重复步骤(a)和(b)至少一次,密封图样(16)的第一表面(16′)作为衬底,并且相应的产生再接线图样(12)与下面平面的至少一个接点高地(11)的接点图样(13)作电的接触。
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