[发明专利]生产多芯片模块的方法和多芯片模块有效
申请号: | 200410011838.7 | 申请日: | 2004-09-22 |
公开(公告)号: | CN1604309A | 公开(公告)日: | 2005-04-06 |
发明(设计)人: | 哈里·黑德勒;罗兰·伊尔希格勒 | 申请(专利权)人: | 印芬龙科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明提供一种生产多芯片模块的方法,有以下步骤:(a)在衬底上涂敷至少一个接点高地;(b)在衬底上涂敷和形成图案再接线图样并在至少一个接点高地上有接点图样构造的至少一个接点高地;(c)在有电接触连接的再接线图样的衬底上涂敷半导体芯片;(d)在半导体芯片,衬底,再接线图样和至少一个接点高地上涂敷不导电的密封图样,在至少一个接点高地上的接点图样至少触到密封图样的第一表面;(e)重复步骤(a)和(b)至少一次,密封图样的第一表面作为衬底,并且相应的产生再接线图样,与下面平面的至少一个接点高地的接点图样作电的接触。本发明同样提供多芯片模块。 | ||
搜索关键词: | 生产 芯片 模块 方法 | ||
【主权项】:
1.一种生产多芯片模块的方法,包括步骤:(a)在衬底(10)上涂敷至少一个接点高地(11);(b)在衬底(10)上涂敷和图案形成再接线图样(12),并且在至少一个接点高地(11)上有接点图样(13)构造的至少一个接点高地(11);(c)在有电的接触连接的再接线图样(12)的衬底(10)上涂敷半导体芯片(15);(d)在半导体芯片(15)、衬底(10)、再接线图样(12)和至少一个接点高地(11)上涂敷不导电的密封图样(16),在至少一个接点高地(11)上的接点图样(13)至少接触到密封图样(16)的第一表面(16′);(e)重复步骤(a)和(b)至少一次,密封图样(16)的第一表面(16′)作为衬底,并且相应的产生再接线图样(12)与下面平面的至少一个接点高地(11)的接点图样(13)作电的接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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