[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，首先，在布线形成区域(R1)形成第一金属布线(102)，在密封环区域(R2)上形成第二金属布线(103)。其次，通过化学机械研磨法或蚀刻，使第一金属布线及第二金属布线的上部凹入，形成凹部(110)。然后，在基板上形成掩埋凹部的第二绝缘膜(104)，使其表面平坦化。其次，将孔状图形(106)及沟槽状图形(107)形成到第二绝缘膜的途中，进行灰化或聚合物的除去。然后，使孔状图形及沟槽状图形达到第一金属布线及第二金属布线。根据本发明，在形成孔状图形和密封环用的沟槽状图形时，防止沟槽状图形和孔状图形达到下面的布线层，从而防止布线层中的金属腐蚀。

主权项

1、一种半导体器件，包括：半导体基板，设置在上述半导体基板上方的第一绝缘膜，设置在上述第一绝缘膜的至少上部的布线层，设置在上述第一绝缘膜及上述布线层上的第二绝缘膜，设置在上述第二绝缘膜上的第三绝缘膜，贯穿上述第三绝缘膜及上述第二绝缘膜、到达上述布线层的至少一个接触导体部，其中，在上述布线层的上部设置有凹部，上述第二绝缘膜中位于上述布线层上部的部分的膜厚，大于上述第二绝缘膜中位于上述第一绝缘膜上部的部分的膜厚。