[发明专利]辐射检测器

摘要

根据本发明的辐射检测器具有用于偏置电压施加的公共电极，形成在对辐射敏感的无定形硒半导体膜(a－Se半导体膜)的表面上。公共电极是具有100到1,000厚度的金薄膜。可以在相对较低的气相沉积温度，在较短的气相沉积时间内，在a－Se半导体膜的表面上形成充当公共电极的金薄膜。该特征抑制了由于公共电极的形成而在a－Se半导体膜中产生缺陷。用于公共电极的金薄膜没有现有技术中的厚，而是1,000或更薄。利用减小的厚度，公共电极具有对a－Se半导体膜改进的粘结性能。

主权项

1.一种辐射检测器，具有对辐射敏感的无定形硒半导体膜，以及二维地形成在所述辐射敏感的无定形硒半导体膜的前表面上的用于偏置电压施加的公共电极，当要检测的辐射入射时，利用施加到公共电极上的偏置电压，在辐射敏感的无定形硒半导体膜中产生电荷，其特征在于所述公共电极包括具有100到1,000埃厚度的金薄膜(Au薄膜)。