[发明专利]薄膜电容器、薄膜电容器阵列及电子部件有效
| 申请号： | 200410011980.1 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1601674A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 草部和宏 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是电极电阻小、Q值大、依次形成的薄膜的层数少的薄膜电容器。有益于元件的小型集成化，能够抑制特性不良及可靠性下降。在支承基板(1)上，将多个下部电极(2)朝高频信号传输方向(P)隔开间隔设置，在所述多个下部电极(2)中的1个下部电极(2)上，夹着薄膜介质层(4)朝高频信号传输方向P隔开间隔设置2个上部电极(5)，从而形成2个电容元件。用引出电极(8)连接所述上部电极(5)，以便使这2个电容元件串联。在所述2个上部电极(5)之间的沿高频信号传输方向(P)的最大间隔(L1)，小于所述上部电极(5)的对高频信号传输方向而言，在俯视图中正交方向的最小长度(W1)。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电容器 阵列 电子 部件 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜电容器，在输入端子和输出端子之间，电容元件被连接，其特征在于，包括：在支承基板上隔开间隔设置的多个下部电极；在所述下部电极中的至少1个下部电极上，介有薄膜介质地形成的2个上部电极；以及分别连接所述2个上部电极的引出电极，在所述下部电极上形成的2个所述上部电极之间的、沿着高频信号传输方向的间隔，小于所述上部电极与所述引出电极在俯视图中互相重合的区域的、沿着与高频信号传输方向正交的方向的长度。
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