[发明专利]形成用于磁头的读取传感器的方法无效

专利信息
申请号: 200410012013.7 申请日: 2004-09-28
公开(公告)号: CN1604192A 公开(公告)日: 2005-04-06
发明(设计)人: 阿曼达·贝尔;马里-克莱尔·西里尔;弗雷德里克·H·迪尔;王汝诚;彻恩吉·黄;马斯塔法·皮纳巴西 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/33
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种制造读取传感器的方法,该方法在多个读取传感层的中心区域形成第一光致抗蚀剂层。通过离子研磨去除在第一光致抗蚀剂层周围的读取传感层的端部,以限定读取传感器的长条高度。接下来,在读取传感层被去除的端部沉积绝缘层。通过用CMP衬垫的机械作用去除第一光致抗蚀剂层。限定读取传感器的轨道宽度,在保留读取传感层的中心区域形成第二光致抗蚀剂层。通过离子研磨去除第二光致抗蚀剂层周围的读取传感层的端部,以限定读取传感器的轨道宽度。在读取传感层被去除的端部沉积硬偏磁层和引线层。通过用CMP衬垫的机械作用去除第二光致抗蚀剂层。因此,消除了包括使用具有凹陷的光致抗蚀剂结构的固有问题。
搜索关键词: 形成 用于 磁头 读取 传感器 方法
【主权项】:
1.一种用于形成用于一磁头的一读取传感器的方法,包括:在形成读取传感器的一轨道宽度之前:在多个读取传感层上的一中心区域中形成一光致抗蚀剂层;蚀刻读取传感层,使得读取传感层的端部被去除,并且一中心部分保留在光致抗蚀剂层下面,从而限定读取传感器的一长条高度;和通过用化学机械抛光衬垫的机械作用去除光致抗蚀剂层。
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