[发明专利]制造具有绝缘环的沟道式电容器的方法

摘要

一种在衬底中制造专用于具有平面选择晶体管的半导体存储单元的、具有绝缘环的沟道式电容器的方法，其中沟道式电容器通过埋入接点在一侧电连接至衬底，平面选择晶体管被布置在衬底中且通过埋入接点连接，该方法包括以下步骤：利用具有相应的掩膜开口的硬掩膜在衬底中提供沟道；在沟道的下部和中部区域提供电容器电介质，在沟道的中部和上部区域提供绝缘环，以及提供导电填料至少直到绝缘环的顶部；用填充材料完全填充沟道；执行浅沟道隔离沟道产生处理；除去填充材料，并使导电填料降低至绝缘环的顶部之下；在绝缘环之上在相对于衬底的一侧形成绝缘区；在绝缘环之上在相对于衬底的另一侧揭开连接区；以及通过沉积和深腐蚀碳填料形成埋入接点。

主权项

1.一种在衬底(1)中制造专用于具有平面选择晶体管的半导体存储单元的、具有绝缘环(10；10a，10b)的沟道式电容器的方法，其中沟道式电容器通过埋入接点(15a，15b)在一侧电连接至衬底(1)，平面选择晶体管被布置在衬底(1)中且通过埋入接点(15a，15b)连接，该方法包括以下步骤：利用具有相应的掩膜开口的硬掩膜(2，3)在衬底(1)中提供沟道(5)；在沟道的下部和中部区域提供电容器电介质(30)，在沟道的中部和上部区域提供绝缘环(10)，以及提供导电填料(20)至少直到绝缘环(10)的顶部；用填充材料(50；50’；50”；20)完全填充沟道(5)；执行浅沟道隔离沟道产生处理；除去填充材料(50；50’；50”；20)，并使导电填料(20)降低至绝缘环(10)的顶部之下；在绝缘环(10)之上在相对于衬底(1)的一侧形成绝缘区(IS；IS1，IS2)；在绝缘环(10)之上在相对于衬底(1)的另一侧揭开连接区(KS；KS1，KS2)；以及通过沉积和深腐蚀碳填料(70；70’；70”；70)形成埋入接点(15a，15b)。