[发明专利]半导体存储装置及其检测方法无效
| 申请号： | 200410012100.2 | 申请日： | 2004-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN1601652A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吉松孝典;北城岳彦;德重芳 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/409 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 包于俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具备下述构件的半导体存储装置，所述构件即存储单元排列成行列状的存储单元阵列、共同连接于所述存储单元阵列的同一行的储存单元上的行线、共同连接于所述存储单元阵列的同一列的储存单元上的列线、选择所述存储单元阵列的任意行与列用的行译码器和列译码器、与所述存储单元阵列的列数相同数量设置的读出放大电路、存储从外部输入的输入数据，检测时将所述单元阵列的1行的数据设定于所述读出放大电路上的写入锁存电路、将检测时从所述存储单元阵列读出的1行的数据存储到所述读出放大电路的读出锁存电路、用于比较存储在所述写入锁存电路上的数据与存储在所述读出锁存电路上的数据的第1比较电路、以及存储所述第1比较电路的比较结果的第1比较结果寄存器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备存储单元排列成行列状的存储单元阵列、共同连接于所述存储单元阵列的同一行的储存单元上的行线、共同连接于所述存储单元阵列的同一列的储存单元上的列线、选择所述存储单元阵列的任意行与列用的行译码器和列译码器、与所述存储单元阵列的列数相同数量设置的读出放大电路(sense amplifier)、存储从外部输入的输入数据，检测时将所述单元阵列的1行的数据设定于所述读出放大电路上的写入锁存电路、将检测时从所述存储单元阵列读出的1行的数据存储到所述读出放大电路的读出锁存电路、用于比较存储在所述写入锁存电路上的数据与存储在所述读出锁存电路上的数据的第1比较电路、以及存储所述第1比较电路的比较结果的第1比较结果寄存器。
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