[发明专利]硒离子选择性电极无效
| 申请号： | 200410012114.4 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1558223A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王未肖;李景印;段惠敏;李淑芳;郭光美;刘魁 | 申请（专利权）人： | 河北科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/333 | 分类号： | G01N27/333 |
| 代理公司： | 石家庄科诚专利事务所 | 代理人： | 左燕生 |
| 地址： | 050018河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硒离子选择性电极，它包括由电极帽、电极杆和电极头组成的电极体，嵌入电极头的敏感膜，银丝、屏蔽导线、屏蔽插头以及电极杆与电极头之间的密封垫圈，银丝与敏感膜内侧直接接触，并通过铂丝与屏蔽导线连接，敏感膜是以硒化银为敏感材料制成。本发明具有良好的稳定性、重现性，电极连续测定2小时，电极漂移小于4MV，且电极使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 选择性 电极 | ||
【主权项】：
1、一种硒离子选择性电极，包括由电极帽(2)、电极杆(3)和电极头(6)组成的电极体，嵌入电极头(6)的敏感膜(7)，银丝(4)、屏蔽导线(1)以及屏蔽插头(8)，银丝(4)与敏感膜(7)内侧直接接触，并通过铂丝(9)与屏蔽导线(1)连接，其特征在于：所述的敏感膜(7)是以硒化银为敏感材料制成。
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