[发明专利]一种Al2O3-SiC-C铁沟浇注料的制备方法无效
申请号: | 200410012778.0 | 申请日: | 2004-02-27 |
公开(公告)号: | CN1661117A | 公开(公告)日: | 2005-08-31 |
发明(设计)人: | 顾华志;汪厚植;张文杰;吴峰;董西岳;吕春燕 | 申请(专利权)人: | 武汉科技大学 |
主分类号: | C21B7/14 | 分类号: | C21B7/14;C04B35/103 |
代理公司: | 武汉开元专利代理有限责任公司 | 代理人: | 樊戎 |
地址: | 430081*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种高炉出铁沟的耐火材料的制备方法。其技术方案是:采用电熔致密刚玉和SiC为骨料,基质部分包括刚玉粉、超细粉、高铝水泥,以及氮化硅、金属硅,外加分散剂。其中:电熔致密刚玉为70~80%,SiC为8~15%,超细粉为5~10%,高铝水泥为1~5%,氮化硅2~15%,金属硅为1~11%,分散剂为0.1~0.3%。加水搅拌后,浇注成型、养护、干燥。本发明通过调整Si、Si3N4的加入量,利用原位反应生成Sialon基质结合相,制造的Sialon增强Al2O3-SiC-C铁沟浇注料易施工,强度高,且具有优良的抗铁水、熔渣的侵蚀、渗透、冲刷性能。通铁量比该炉同类料提高30%以上。 | ||
搜索关键词: | 一种 al sub sic 浇注 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种Al2O3-SiC-C铁沟浇注料的制备方法,其特征在于采用电熔致密刚玉和SiC为骨料,基质部分包括刚玉粉、超细粉、高铝水泥,以及氮化硅、金属硅,外加分散剂,加水搅拌后,浇注成型、养护、干燥。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学,未经武汉科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410012778.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种治疗前列腺肥大的中药贴剂及其生产方法
- 下一篇:光导管
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法