[发明专利]直接利用可控硅开关特性的缺相保护器无效

专利信息
申请号: 200410012823.2 申请日: 2004-03-03
公开(公告)号: CN1665094A 公开(公告)日: 2005-09-07
发明(设计)人: 陈庆荣 申请(专利权)人: 陈庆荣
主分类号: H02H7/08 分类号: H02H7/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 365000福建省三明*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明提供了一种直接利用可控硅开关特性的缺相保护电路。它包括用电设备的起动控制执行器件如:继电器,其特点是:它由可控硅及限流电阻构成,其连接关系如下:三相电源中的某相与可控硅阳极相连,可控硅阴极接入三相用电设备控制执行元件的电源;三相电源中的第二相与限流电阻相连并连接可控硅触发极;三相电源中的第三相直接与三相用电设备控制执行元件的电源相连。本发明可用于任何需要防止三相电源缺相起动运行的场合,体积小可融入设备的电源控制系统,不单独占用空间。
搜索关键词: 直接 利用 可控硅 开关 特性 保护
【主权项】:
1、直接利用可控硅开关特性的缺相保护器,它包括用电设备起动控制的执行器件(如交流接触器、继电器),其特征是:它设有控制元件通断的缺相保护电路,该电路由可控硅及限流电阻构成,其连接关系如下:三相电源中的某相与可控硅阳极相连,可控硅阴极接入三相用电设备控制元件的电源;三相电源中的第二相经与限流触发电阻相连并连接可控硅的触发极;三相电源中的第三相直接与三相用电设备的相连。
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