[发明专利]ZnO陶瓷薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410013448.3 | 申请日： | 2004-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1594202A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 姜胜林;曾亦可;李秀峰;刘梅冬 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/624 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，包括：采用传统的溶胶－凝胶法制备ZnO溶胶，取上述60～80％的溶胶烘干后，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；在上述ZnO粉体中加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；在载体上采用通常的方法制备所需厚度的薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。通过该方法可制备从2000nm～5000nm的薄膜，该薄膜无裂纹、致密型好、晶粒分布较均匀。 | ||
| 搜索关键词： | zno 陶瓷 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种ZnO陶瓷薄膜的制备方法，其特征在于：包括(1)采用溶胶-凝胶法制备ZnO溶胶；(2)取上述60～80％的溶胶，升温至550℃～650℃，使有机物分解，得到ZnO晶体，再碾磨制备成ZnO纳米粉体，其粒径在30nm～70nm；(3)在上述ZnO粉体中，加入分散剂，经混合后，加入到剩余的溶胶中；(4)在载体上制备薄膜，薄膜的退火温度为500℃～850℃。
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