[发明专利]一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法无效
| 申请号： | 200410013682.6 | 申请日： | 2004-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1562866A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 温广武;李峰;张俊宝;宋亮 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人： | 单军 |
| 地址： | 150001黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种高温结构陶瓷材料SiBONC及其制备方法，涉及一种陶瓷材料及其制备工艺。本发明中涉及到的材料是由Si、B、O、N、C组成的非晶与微晶陶瓷，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。它按照下述步骤进行制备：a.将四氯化硅与苯甲醛混合后在紫外灯照射下反应得到硅氧聚合物；b.向硅氧聚合物中加入烷基胺，得到Si－O－N有机聚合物；c.向Si－O－N有机聚合物中通入硼化物，得到Si－B－O－N－C有机聚合物；d.在管式气氛保护炉中，对Si－B－O－N－C有机聚合物进行裂解得到Si－B－O－N－C粉末：e.将所制备的Si－B－O－N－C粉末在真空/气氛热压中烧结得到致密的Si－B－O－N－C陶瓷。本发明制备的Si－B－O－N－C陶瓷具有工艺简单、制备成本低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高温 结构 陶瓷材料 sibonc 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温结构陶瓷材料SiBONC，其特征在于它由Si、B、O、N、C组成，其中Si、B、O、N、C的摩尔比为(1～6)∶1∶(2～8)∶(1～2)∶(0.2～0.5)。
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