[发明专利]含铁电纳米晶的电光极化聚合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200410014335.5 | 申请日： | 2004-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1563194A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李爱东;刘文超;谭静;吴迪;闵乃本 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08K3/24 |
| 代理公司： | 南京苏高专利事务所 | 代理人： | 成立珍 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 含铁电纳米晶的电光极化聚合物及其制备方法：铁电纳米晶均匀分布在透明的薄膜聚合物内。铁电纳米晶材料：铌酸锶钡、锆钛酸铅、掺镧的锆钛酸铅、钛酸钡BaTiO3，铌酸锂LiNbO3或钽酸锂LiTaO3，纳米晶粒径为20～80nm。聚合物基体材料：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、和聚酰亚胺类和热塑性聚酰胺酸。可以在聚合时将含铁电纳米晶共聚在聚合物内。亦可以将聚合物基体材料溶解在极性溶剂内，再将铁电纳米晶的前体溶液与此溶剂混和，再以甩胶法或浸渍法沉积薄膜。本发明通过将无机的铁电纳米晶和有机聚合物进行复合，既具有较大的电光系数，又具有优异的线性电光品质电光极化聚合物复合薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 含铁电 纳米 电光 极化 聚合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、含铁电纳米晶的电光极化聚合物，其特征是含铁电纳米晶均匀分布在透明的薄膜聚合物基体材料内。
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