[发明专利]微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺有效
| 申请号： | 200410014847.1 | 申请日： | 2004-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1571132A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 严红月;申明 | 申请（专利权）人： | 江苏长电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 江阴市同盛专利事务所 | 代理人： | 唐纫兰 |
| 地址： | 214431江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微型半导体器件封装低弧度焊线形成的工艺。属半导体器件封装技术领域。其特点是焊接低弧度焊线的焊线机焊头运动轨迹分三步进行：第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H1并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S1；第二步、在第一步轨迹终点在Z方向再垂直向上运动一段高度H2并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S2；第三步、在第二步轨迹终点在Z方向垂直而上运动弧形落在第二焊点B位置。本发明通过改变焊头运动轨迹来形成微型半导体器件封装低弧度焊线。因此能满足微型半导体封装的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 微型 半导体器件 封装 弧度 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种微型半导体器件封装低弧度焊线的形成工艺，其特征在于焊接低弧度焊线的焊线机焊头运动轨迹分三步进行：第一步、从第一焊点A在Z方向垂直向上运动一段高度H1并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S1；第二步、在第一步轨迹终点在Z方向再垂直向上运动一段高度H2并朝背离第二焊点B的逆向运动一段距离S2；第三步、在第二步轨迹终点在Z方向垂直而上运动弧形落在第二焊点B位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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