[发明专利]输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺无效

专利信息
申请号: 200410015657.1 申请日: 2004-01-08
公开(公告)号: CN1556261A 公开(公告)日: 2004-12-22
发明(设计)人: 陆燕玲;王俊;孙宝德;李胜华;张佼;巫瑞智 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/04
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺,属于光电子材料领域。本发明晶体的分子式为Tm:YAlO3,Tm3+为掺杂离子,其掺杂浓度在4-12at%,余量为基质YAP,即Y2O3和Al2O3的原子比为1∶1。工艺步骤如下:采用中频感应加热提拉法生长Tm:YAP晶体,发热体为铱坩埚,原料经焙烧后按比例称量;原料经称配,研混均匀后,在液压机下压紧成块并在1300℃的高温下烧结发生固相反应,烧结好的原料放在干燥箱内保存;用氧化锆作保温罩及保温材料,并用石英片封住观察窗口,采用惰性气体保护,生长温度1900℃,提拉速度1.5mm/h,晶体转速25rpm,生长Tm:YAP晶体。用本发明晶体制成的固体激光器转换效率高,对人眼安全,可用于军事雷达、生物医学、环境保护等诸多领域中。
搜索关键词: 输出 波段 掺铥铝酸钇 激光 晶体 及其 制备 工艺
【主权项】:
1、一种输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体,其特征在于:晶体的分子式为Tm:YAlO3,Tm3+为掺杂离子,其掺杂浓度在4-12at%,余量为基质YAP,即Y2O3和Al2O3的原子比为1∶1。
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