[发明专利]相变存储器单元器件的制备方法有效
| 申请号： | 200410015743.2 | 申请日： | 2004-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1556550A | 公开（公告）日： | 2004-12-22 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;夏吉林;张挺;封松林;陈宝明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种相变存储器单元器件的制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于，首先在衬底材料上沉积底电极材料，再沉积电介质材料，然后通过机械方法，用三棱锥，圆锥等多种形状和钻石，金刚石等不同材料的压头在薄膜上打出小孔，使小孔穿透电介质层，尖头部和底电极材料接触。接着，沉积薄薄一层相变材料，表面抛光。接着使用剥离技术，即涂上光刻胶，曝光显影使小孔露出来，然后沉积上电极材料，去胶制成。优点在于相变材料和底电极接触面很小，可达几百纳米，所以很小的电流就可以产生很大的热量，使相变材料在很短时间内就可发生相变。用本发明制备的器件具有较小的功耗，很短的响应时间，对于器件的性能有很大的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 单元 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储器单元器件的制备方法，包括衬底材料的清洗，其特征在于：(1)在清洗后的衬底上依次沉积底电极材料和电介质材料；(2)然后通过机械压头在电介质层打孔，孔的深度大于电介质层深度，使孔尖和底电极接触；(3)最后沉积多元相变材料，表面抛光后通过剥离技术使小孔暴露出来，再沉积上电极。
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