[发明专利]增大硅片单位面积金属-电介质-金属电容容量的方法无效

专利信息
申请号: 200410015767.8 申请日: 2004-01-13
公开(公告)号: CN1641858A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: 肖胜安 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L21/28;H01L21/31
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 蒋方凯
地址: 201206*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种增大硅片单位面积金属-电介质-金属电容容量的方法,利用本方法可增大硅片单位面积的电容容量。其技术方案是:完成层间膜平坦化,通孔或接触孔光刻/刻蚀/接触用金属淀积/金属CMP或反刻,然后通过光刻,刻蚀在制作电容的区域上的层间膜上开出沟槽,之后淀积下部电极,淀积介质膜,淀积上部电极,最后完成上部电极的图形化(光刻/刻蚀)和下部电极的图形化(光刻/刻蚀)。
搜索关键词: 增大 硅片 单位 面积 金属 电介质 电容 容量 方法
【主权项】:
1、一种增大硅片单位面积金属-电介质-金属电容容量的方法,其特征在于通过以下工艺流程制备而成:(1)完成层间膜平坦化,通孔或接触孔光刻/刻蚀/接触用金属淀积/金属CMP或反刻;(2)通过光刻,刻蚀在制作电容的区域上的层间膜上开出沟槽;(3)淀积下部电极;(4)淀积介质膜;(5)淀积上部电极;(6)完成上部电极的图形化(光刻/刻蚀);(7)完成下部电极的图形化(光刻/刻蚀)。
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