[发明专利]稀土离子稳定的阿尔发赛隆粉体的自蔓延合成方法无效
| 申请号： | 200410015999.3 | 申请日： | 2004-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1569745A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 蒋久信;王佩玲;何万保;陈卫武;程一兵;庄汉锐;严东生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/599 | 分类号： | C04B35/599;C04B35/584;C04B35/591 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种稀土离子稳定的阿尔发赛隆(α－Sialon)粉体的自蔓延合成方法，其特征在于：半径很大的Ce3+，Pr3+和Eu3+稀土离子在通常的工艺中不容易进入α－Sialon晶格中，而通过高温自蔓延燃烧工艺合成后能较多地进入α－Sialon晶格。本方法采用的原料是质量百分比不小于99.0％的氮化硅(Si3N4)粉、氮化铝(AlN)粉、稀土氧化物(RE2O3，RE＝Ce，Pr和Eu)和氧化钇(Y2O3)以及质量百分比不小于98.0％的铝(Al)粉和硅(Si)粉为原料，以α－Sialon通式RexSi12－(m+n)Alm+nOnN16－n中的x、m、n为选择组份点的参数配料，其中m＝2n＝3x，x＝0.3～0.6，RE为Ce，Pr或Eu中的任何一种单独掺杂或与Y元素以不同比例复合掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 离子 稳定 阿尔发赛隆粉体 蔓延 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种稀土离子稳定的阿尔发赛隆粉体的自蔓延合成方法，其特征在于：(1)以α-Sialon通式RExSi12-(m+n)Alm+nOnN16-n中的x、m、n为选择组份点的参数配料，其中m＝2n＝3x，x＝0.3～0.6，RE为Ce、Pr或En中Ce，Pr或Eu中的任何一种单独掺杂或与Y以不同的比例复合掺杂；(2)配料混合均匀后的粉体置于石墨坩埚中，在表层铺一层金属Ti引燃剂，将钨丝或钼丝埋入粉体，引发反应自发进行，得到块状的粉体，粉体经粉碎工艺而成。
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