[发明专利]水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法无效
| 申请号： | 200410016144.2 | 申请日： | 2004-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1557776A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 雒晓军;张宝林;李文兰;庄汉锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种水基流延法制备集成电路氮化铝陶瓷基片的方法。主要技术特征是把经过磷酸处理的氮化铝粉末、烧结助剂和有机添加剂按照以下配方制备成浆料：氮化铝粉末40～60wt％；氧化钇0.5～2wt％；氧化镝1～3wt％；水10～20wt％；聚丙烯酸酯乳浊液0.2～1wt％；聚乙烯醇乳浊液20～40wt％；甘油2～5wt％。将配制好的氮化铝浆料流延成型制备成素坯膜，素坯膜经排胶、烧结制备成氮化铝基片。该方法制备基片成本低，无污染，所得的基片热导率高，表面平整，适合大规模工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 基流 法制 高热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1、水基流延法制备高热导率氮化铝陶瓷基片的方法，包括以下步骤：(1)经过磷酸处理的氮化铝粉末40～60wt％；氧化钇0.5～2wt％；氧化镝1～3wt％；水10～20wt％；聚丙烯酸酯乳浊液0.2～1wt％；聚乙烯醇乳浊液20～40wt％；甘油2～5wt％；(2)制备好的浆料流延成型、干燥、排胶、烧结、冷却后制得氮化铝基片。
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