[发明专利]半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法无效
| 申请号： | 200410016258.7 | 申请日： | 2004-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN1558288A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 王廷云;郭小勇;陈振宜;郭强 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | G02F1/39 | 分类号： | G02F1/39;G02B6/00;C03B37/00 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200072*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种新型的纳米半导体薄膜内包层放大光纤及其制造方法，属光纤技术领域。本发明的半导体薄膜内包层放大光纤，它由纤芯、薄膜内包层和外包层组成，半导体薄膜内包层夹于在纤芯和外包层之间。本发明提供了采用气相沉积法在特殊的MCVD制棒机上直接制成具有外包层沉积、半导体薄膜内包层沉积和纤芯沉积的光纤预制棒，然后进行拉制光纤。本发明的纳米半导体薄膜内包层放大光纤制成的放大器具有集成化强、频率宽、增益高、结构简单等特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 包层 放大 光纤 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜内包层放大光纤，它由纤芯(1)、薄膜内包层(2)和外包层(3)组成，其特征在于纤芯(1)的材料是由纯石英掺杂少量增大折射率的GeO2组成，薄膜内包层(2)的材料是由具有放大功能的纳米半导体材料GaAs或InP组成，而外包层(3)的材料是由纯石英加入少量低折射率的添加物B2O3或氟(F)组成；半导体薄膜内包层夹于在纤芯(1)和外包层(3)之间
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