[发明专利]由硅化镁燃烧合成氮化硅镁粉体的制备方法无效
| 申请号： | 200410016325.5 | 申请日： | 2004-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN1557710A | 公开（公告）日： | 2004-12-29 |
| 发明（设计）人： | 彭桂花;江国健;李文兰;张宝林;庄汉锐 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01F5/00 | 分类号： | C01F5/00;C04B35/64;C04B35/65 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅化镁燃烧合成MgSiN2粉体的制备方法，属于非氧化物陶瓷粉体的制备领域。本发明以硅化镁或硅化镁与α－Si3N4混合物为起始原料，在1～10MPa的氮气或者氮气与氢气(95～98％∶5～2％)的混合气中反应制备的。在生产过程中，不需预先压块，反应是在碳毡制的直立环状筒或盘状容器中进行。本发明采用燃烧合成工艺，与文献报道相比，不仅具有无环境污染、能耗低、适合工业大规模生产的优点，而且合成产物的纯度高，氧含量可控制为＜0.5％，适用于制备高强度、高导热氮化硅和氮化铝陶瓷基板材料和微电子封装材料的添加剂等。 | ||
| 搜索关键词： | 硅化镁 燃烧 合成 氮化 镁粉 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MgSiN2粉末的合成方法，包括反应物的选择、混合、氮化工艺过程，其特征在于以硅化镁为原料，松装于碳毡制的容器中，放置于燃烧合成炉内。通入1～10MPa的气体，然后在高压容器中经点火燃烧合成，反应时间为2～10分钟，合成后炉内自然冷却。
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