[发明专利]掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法无效
申请号: | 200410016474.1 | 申请日: | 2004-02-23 |
公开(公告)号: | CN1560890A | 公开(公告)日: | 2005-01-05 |
发明(设计)人: | 赵广军;徐军;庞辉勇;介明印;何晓明;周圣明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01J1/63 | 分类号: | H01J1/63;C09K11/77;H01J9/20 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 张泽纯 |
地址: | 201800上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏及其制备方法,该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3衬底上生长一层闪烁薄膜Lu1-x-yCeyYxAlO3而构成,其中0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1),该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3 (0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶,在电阻加热液相外延炉中,在LuzY1-zAlO3单晶的结晶温度下,与含有Lu1-x-yCeyYxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1-x-yCeyYxAlO3单晶薄膜。该荧光屏具有高效率和高分辨率的特点。 | ||
搜索关键词: | 掺铈铝酸镥钇亚 微米 成像 荧光屏 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掺铈铝酸镥钇亚微米成像荧光屏,其特征在于该荧光屏的结构是在晶面方向为(010)、(100)或(001)的Lu1-zYzAlO3(0≤z≤1)衬底及生长在其上的闪烁薄膜(Lu1-x-yCeyYxAlO3,即Lu1-x-yCeyYxAlO3/Lu1-zYzAlO3(0≤x≤0.9999,0.0001≤y≤0.05,0≤z≤1)。
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