[发明专利]掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法无效
| 申请号： | 200410016476.0 | 申请日： | 2004-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1560892A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 赵广军;庞辉勇;徐军;夏长泰;何晓明;介明印;周圣明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01J1/63 | 分类号： | H01J1/63;C09K11/77;H01J9/20 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏及其制备方法，其特征在于该荧光屏的结构式是Lu1－x－yCeyEuxAlO3/LuzY1－zAlO3，(0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏的制备方法是将晶面方向为(100)或(001)的LuzY1－zAlO3，(0≤z≤1)单晶衬底作大面积籽晶，在电阻加热液相外延炉中，在Lu1－x－yCeyEuxAlO3单晶的结晶温度下，与含有Lu1－x－yCeyEuxAlO3多晶料的助熔剂饱和溶液接触界面上生长一层微米及亚微米量级的Lu1－x－yCeyEuxAlO3单晶薄膜而构成。本发明的荧光屏应具有单晶薄膜质量高、光学性质好、X射线吸收系数高和分辨率高的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 掺铈掺铕铝酸镥亚 微米 成像 荧光屏 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺铈掺铕铝酸镥亚微米成像荧光屏，其特征在于该荧光屏的结构式是Lu1-x-yCeyEuxAlO3/LuzY1-zAlO3，(0.0001≤x≤0.05，0.0001≤y≤0.05，0≤z≤1)，该荧光屏是晶面方向为(100)或(010)的LuzY1-zAlO3的衬底单晶片上生长的一层Lu1-x-yCeyEuxAlO3闪烁单晶薄膜构成的复合闪烁探测材料。
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