[发明专利]量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法无效
| 申请号： | 200410016590.3 | 申请日： | 2004-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1560970A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 陆卫;周旭昌;陈效双;陈贵宾;王少伟;李宁;李志锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/00;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 20008*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片及制备方法，它是通过分子束外延技术在衬底上生长一个双势阱的单量子阱结构，使双势阱内势能结构为阶梯形且阶梯倾斜；再通过脉冲激光辐照技术对量子阱的不同区域进行不同时间的辐照，以改变不同区域的能带结构，从而改变其发光频率，得到一个高发光强度的不同发光频率的区域集成在一起的量子阱芯片。并且各区域在同一电压下工作，使得芯片的结构非常简单。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 赫兹 波段 集成 相干 光源 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子阱太赫兹多波段集成相干光源芯片，包括：衬底(1)，在衬底(1)上有一与衬底牢固结合的单量子阱(2)，在衬底(1)底面有一带下电极(4)的金属反射层(3)，在单量子阱(2)上面有一上电极(5)，其特征在于：所说的单量子阱(2)是GaAs/AlGaAs，单量子阱(2)从衬底(1)方向依次由AlAs势垒层(201)、AlxGa1-xAs势阱层(202)、GaAs势阱层(203)和AlyGa1-yAs势垒层(204)组成。
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