[发明专利]ZnO∶M2O3 (M=Al、Cr)导电衬底的制备方法无效
| 申请号： | 200410016726.0 | 申请日： | 2004-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1560902A | 公开（公告）日： | 2005-01-05 |
| 发明（设计）人： | 杭寅;宋词;徐军;周圣明;杨卫桥;王海丽;严成峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底的制备方法，其特点是通过水热法合成使高温高压下的ZnO和M2O3(Al2O3或Cr2O3)混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在ZnO衬底晶片籽晶上生长ZnO∶M2O3 (M＝Al、Cr)导电衬底晶片。本发明所生长的掺质ZnO导电衬底材料(ZnO∶M2O3)与GaN晶格失配小，其导电性能使衬底晶片的背面容易进行电极接触，从而大大简化了器件的制作。而且重复性好，成本低，适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | zno sub al cr 导电 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种ZnO:M2O3(M＝Al、Cr)导电衬底的制备方法，其特征是通过水热法合成使高温高压下的ZnO和M2O3(Al2O3或Cr2O3)混合物的水溶液达到一定的过饱和度，在ZnO衬底晶片籽晶上生长ZnO:M2O3(M＝Al、Cr)导电衬底晶片。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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