[发明专利]硫化砷-铌酸锂复合波导耦合器无效

专利信息
申请号: 200410017042.2 申请日: 2004-03-18
公开(公告)号: CN1564036A 公开(公告)日: 2005-01-12
发明(设计)人: 陈抱雪;梁东波;贾洪波;周建忠 申请(专利权)人: 上海理工大学
主分类号: G02B6/26 分类号: G02B6/26
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 代理人: 吴宝根
地址: 200093*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种硫化砷-铌酸锂复合波导耦合器,在铌酸锂晶体基板的表面上置有一个铌酸锂条波导,该铌酸锂条波导呈拉长的S、中间部分是直线形,铌酸锂条波导中间部分的水平位置两侧置有成对的金属薄膜电极,该电极连接着外部电压源,铌酸锂条波导和电极的上方覆盖有介质中间层,有一个直线形硫化砷条波导置于介质中间层的上方、与铌酸锂条波导中间部分在同一个垂直于铌酸锂晶体基板的平面内。本发明所述硫化砷-铌酸锂复合波导耦合器是一个非对称的定向耦合器,在光光效应、电光效应的组合作用下,本发明实现了以往空间光调制技术所不能表达的光学突触权重的负值、正值和零值的功能,促进了仿神经元光波导器件的发展。
搜索关键词: 硫化 铌酸锂 复合 波导 耦合器
【主权项】:
1.一种硫化砷-铌酸锂复合波导耦合器,其特征在于铌酸锂晶体基板(1)表面上置有一个铌酸锂条波导(2),该铌酸锂条波导(2)呈拉长的S、中间部分为直线形,在铌酸锂条波导(2)中间部分的水平位置两侧置有成对的金属薄膜电极(3),该电极(3)连接着外部电压源,铌酸锂条波导(2)和电极(3)的上方覆盖有介质中间层(4),有一个直线形硫化砷条波导(5)置于介质中间层(4)的上方、与铌酸锂条波导(2)的中间部分在同一个垂直于铌酸锂晶体基板(1)的平面内。
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