[发明专利]LiF晶体微米线色心激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200410017065.3 | 申请日： | 2004-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN1564391A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 姜本学;赵志伟;夏长泰;徐军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S3/00 | 分类号： | H01S3/00;H01S3/16 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种LiF晶体微米线色心激光器的制作方法，其特征是先将LiF的薄晶体片，在飞秒激光的辐照下，利用步进电机移动晶体，在该晶体上形成长为1mm，宽为几个微米的微米线。该方法的具体工艺步骤如下：①先将LiF晶体切割成薄晶体片，然后进行抛光，光洁度大于Ⅲ级；②用经透镜聚焦后功率为14－48mW的飞秒激光辐照LiF晶体，同时利用步进电极以8－12μm/s的速度移动晶体，形成宽3.5－7μm长为1mm的辐照线。本发明LiF晶体中微米线激光器的制作方法，可以实现微米级的微区激光器的制作，激光谐振腔的方向可任意控制、尺寸准确，易于操作。此种色心激光器的制作有可能用于未来全光学回路中。 | ||
| 搜索关键词： | lif 晶体 微米 色心 激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种LiF晶体微米线色心激光器的制作方法，其特征是先将LiF的薄晶体片，在聚焦的飞秒激光的辐照下，同时利用步进电机移动晶体，在该晶体上形成长为1mm，宽为几个微米的微米线。
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