[发明专利]集成电路器件的化学机械抛光的终点检测方法

摘要

本发明公开了一种制造集成电路器件的方法。该方法使包括研浆和分散剂液体在内的旋转抛光垫紧靠包括第一材料的基本不平的层。所述第一材料覆盖在第二材料上。所述第二材料具有一个或多个基本平坦的区域。当去除所述基本不平的层的部分时，所述方法对旋转抛光垫的驱动电流进行监视，直到所述基本不平的层的形状变得基本平坦时，摩擦力使所述电流增加为止。当旋转抛光垫继续去除所述第一材料的部分时，所述方法减少分散剂液体的量。此外，所述方法对所述增加后的驱动电流的减小进行监视，当所述电流的减小速率大于1安培每秒时，就表示到达了终点，在该终点，已暴露出所述第二材料的一个或多个部分。

主权项

1.一种加工集成电路器件的方法，该方法包括：在预定时间的一部分期间，使旋转抛光垫紧靠一个衬底表面，同时向该表面引入一种选择性抛光混合物和一种预定种类的表面活性剂，所述衬底包括与一个平坦区域相邻接的一个沟槽区域，在所述沟槽区域和所述平坦区域上形成有一个含氮化物层，以提供所述沟槽区域中的衬层和覆盖在所述平坦区域上的保护性氮化物层，并且在所述含氮化物层上覆盖有含氧化物覆层，以定义出所述衬底表面，所述含氧化物层基本上填满所述沟槽区域并覆盖所述含氮化物层；使所述旋转抛光垫保持紧靠所述衬底表面，使用所述选择性抛光混合物和所述预定种类的表面活性剂，以从所述衬底表面将所述含氧化物层去除一个厚度；继续使所述旋转抛光垫保持紧靠所述衬底表面，直到所述表面的形状已基本被平坦化为止，此时，所述旋转抛光垫和所述表面之间的摩擦力开始增加，表示所述表面的形状被平坦化；在所述表面已基本被平坦化的时刻附近，减少所述预定种类的表面活性剂的量；监视所述旋转抛光垫的驱动电流的增加，该电流的增加至少是基于由所述预定种类的表面活性剂的量减少而造成的所述旋转抛光垫和所述表面之间摩擦力的增加而产生的；在已减少所述预定种类的表面活性剂的量之后，监视所述增加后的驱动电流的减小，这一减小表示抛光工艺的终点。