[发明专利]监控低温快速热退火工艺的方法无效
| 申请号： | 200410017411.8 | 申请日： | 2004-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1676626A | 公开（公告）日： | 2005-10-05 |
| 发明（设计）人： | 江瑞星 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C21D1/26 | 分类号： | C21D1/26;C21D11/00;C30B33/02;H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种监控低温快速热退火工艺的方法，它利用在低温时非晶质硅层与金属层的接触表面会形成一对温度相当敏感的金属硅化物，再通过测量金属硅化物的薄层电阻值来监控所述低温快速热退火工艺的稳定性。有效地监控工艺时园片的热退火工艺状态，并能简便且快速的判断热退火工艺效果，使得用来监控的园片能够重复使用，降低了工艺的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 低温 快速 退火 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控低温快速热退火工艺的方法，其特征在于包括下列步骤：提供一园片；在所述园片上依序形成一非晶质硅层，与一金属层；对所述园片进行一低温快速退火工艺，以形成一金属硅化物层；以及对所述园片进行一刻蚀工艺，以移除未反应的所述金属层后，测量所述金属硅化物层的电阻值，由电阻值的变化即可得知低温快速热退火工艺的效果。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410017411.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全氟辛酸的酯化方法及其直链含量的分析方法
- 下一篇：低压铁饭煲
