[发明专利]一种ZnO基透明薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200410017452.7 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1564324A | 公开（公告）日： | 2005-01-12 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;袁国栋;朱丽萍;钱庆 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L33/00;H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 陈祯祥 |
| 地址： | 310027浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种ZnO基薄膜晶体管及其制备方法。玻璃衬底上沉积一层50－150nm厚的n－ZnO薄膜作为该薄膜晶体管的沟道，ATO薄膜作为栅绝缘层，源极、栅极、漏极均采用ITO薄膜。这种透明的薄膜晶体管在可见光区域的透光率可达到80％以上，跟传统的Si薄膜晶体管相比，能防止因入射光而在薄膜晶体管的源极和漏极之间产生光电子漏电流从而导致薄膜晶体管的关态电流上升，可减少可见光对其工作状态的影响。该薄膜晶体管制作工艺简单，成本低，适合应用于有源矩阵液晶显示器件等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 透明 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括衬底、构道、栅极、源极、漏极和栅绝缘层，其特征是衬底(1)采用玻璃或蓝宝石，沟道(2)为n-ZnO薄膜，栅极(5)、源极(3)、漏极(6)为ITO薄膜，栅绝缘层(4)采用ATO薄膜。
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