[发明专利]小型电可擦可编程只读存储器矩阵结构无效
| 申请号： | 200410017785.X | 申请日： | 2004-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1691205A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 詹奕鹏;刘梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;童志诚 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电可擦可编程只读存储器矩阵结构，包括多个电可擦可编程只读存储器，其特征是，每个电可擦可编程只读存储器采用加大的接点(Butted CT)连接相邻的两个信号栅，加大的接点(Butted CT)作为关键元件单元(EEcell)，减小了控制栅(CG)方向的尺寸，用它能构成更小的电可擦可编程只读存储器矩阵有效位单元(EEPROM effectivebitcell)，与现有的电可擦可编程只读存储器矩阵的集成度相比，按照本发明的电可擦可编程只读存储器矩阵的集成度可以提高5％～15％。 | ||
| 搜索关键词： | 小型 电可擦 可编程 只读存储器 矩阵 结构 | ||
【主权项】：
1、电可擦可编程只读存储器矩阵结构，包括多个电可擦可编程只读存储器，其特征是，每个电可擦可编程只读存储器采用加大的接点(ButtedCT)连接相邻的两个信号栅，加大的接点(Butted CT)作为关键元件单元(EEcell)，减小了控制栅(CG)方向的尺寸，用它能构成更小的电可擦可编程只读存储器矩阵有效位单元(EEPROM effective bitcell)，与现有的电可擦可编程只读存储器矩阵的集成度相比，按照本发明的电可擦可编程只读存储器矩阵的集成度可以提高5％～15％。
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