[发明专利]无机晶须表面包覆SiO2的制备方法无效
| 申请号： | 200410018014.2 | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1569746A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 郭明波;徐宏;古宏晨 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/628 | 分类号： | C04B35/628;C04B35/81;C30B29/62;C30B33/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种无机晶须表面包覆SiO2的制备方法，用于材料制备领域。本发明首先将无机晶须在前驱体溶液中进行分散处理，然后采用均匀沉淀法进行表面无机包覆，保温陈化后，进行过滤、洗涤、干燥得到表面包覆致密SiO2膜的无机晶须，所用前驱体为硅酸钠，利用乙酸乙酯水解给体系提供H+。本发明得到的晶须样品表面包覆层致密均匀；表面包覆采用均匀沉淀法，简单易行；利用的原料易得且生产成本较低。本发明适用于众多无机晶须乃至无机粒子的改性，具有普适性。 | ||
| 搜索关键词： | 无机 表面 sio sub 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种无机晶须表面包覆SiO2的制备方法，其特征在于，首先将无机晶须在前驱体溶液中进行分散处理，然后采用均匀沉淀法进行表面无机包覆，保温陈化后，进行过滤、洗涤、干燥得到表面包覆致密SiO2膜的无机晶须，所用前驱体为硅酸钠，利用乙酸乙酯水解给体系提供H+。
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