[发明专利]一维紫外到可见光波段光子晶体材料及制备方法有效
| 申请号： | 200410018081.4 | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1570673A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 宋志棠;汪扬;林成鲁;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B1/10 | 分类号： | G02B1/10;G02B5/20 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种一维紫外到可见光波段光子晶体的材料及制备方法，属于光电子技术领域。其特征在于以石英作衬底，利用超高真空电子束蒸发在石英衬底上交替生长SiO2、TiO2薄膜，各5～10层，设计SiO2薄膜厚度10nm～96nm，TiO2薄膜厚度10nm～96nm，从而制备出一维紫外到可见光波段光子晶体材料。超高真空电子束蒸发时的真空度10－6－10－8乇。本方法相对于分子束外延(MBE)等方法工艺简单，成本较低，并且生长速度快，实验证明光子带隙清晰，为光子晶体材料在器件上的应用提供了比较快捷的制备工艺，同时为制备更高维数的紫外到可见光波段光子晶体打下基础。本发明可以用于研发微电子光刻工艺的下两代光源，即90nm和75nm光源。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 可见光 波段 光子 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一维紫外到可见光波段光子晶体材料的，其特征在于在一石英片上交替生长SiO2、TiO2薄膜，形成TiO2/SiO2/TiO2/SiO2......TiO2/SiO2/石英衬底结构的一维光子晶体，其中TiO2和SiO2薄膜层数各为5-10层，厚度为10nm-96nm，光子带隙位于7.9nm-758.4nm。
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