[发明专利]一种拉制硅单晶工艺方法有效
| 申请号： | 200410018223.7 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1696355A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 顾月强;谢海涛 | 申请（专利权）人： | 上海卡姆丹克半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海浦东良风专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈志良 |
| 地址： | 201300上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种拉制硅单晶工艺方法，步骤包括：将多晶硅料投入石英坩埚内进行电加热，向炉内充氩并减压升温，炉内压力在2600Pa，温度在1420℃，待炉内料完全熔融后进行拉制硅单晶，并检测其电阻率，其特征在于：拉制第一根硅单晶后需向炉内多次加入多晶硅料，每拉一根进行加一次料。本发明工艺方法的实施，能大大提高硅单晶的成品率，如果器件允许硅单晶的电阻率范围只有10Ωcm，采用传统工艺时，单晶成品率约34％，采用本发明方法三次加料工艺后，成品率将提高到58％。当半导体器件所允许硅单晶的电阻率范围越小时，采用多次加料工艺后单晶成品率的提高将更为明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 拉制 硅单晶 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种拉制硅单晶工艺方法，步骤包括：将多晶硅料投入石英坩埚内进行电加热，向炉内充氩并减压升温，炉内压力在2600Pa，温度在1420℃，待炉内料完全熔融后进行拉制硅单晶，并检测其电阻率，其特征在于：拉制第一根硅单晶后需向炉内多次加入多晶硅料，每拉一根进行加一次料。
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