[发明专利]低介电常数薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 200410018233.0 | 申请日： | 2004-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1697176A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 汪钉崇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海隆天新高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低介电常数膜及其制造方法。低介电常数膜是在已形成有铜互连线的膜层上顺序形成的多层膜构成的叠层膜，叠层膜包括：SiN或SiC铜扩散阻挡层；加氟的硅酸盐玻璃。可以防止胺在随后进行的光刻腐蚀构图中损坏光刻胶，造成互连断开的缺陷，防止含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜灰化损坏，和增大低介电常数含碳的氧化硅(SiOC)介质膜的硬度，以利于后续的CMP处理。在这样构成的低介电常数介质膜中能形成连接上层和下层互连线的高质量的导电栓。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1，低介电常数膜，其特征是，低介电常数膜是在已形成有铜互连线的膜层上顺序形成的多层膜构成的叠层膜，叠层膜包括：SiN或SiC铜扩散阻挡层(1)；加氟的硅酸盐玻璃层(2)；含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜(3)；和加氟的硅酸盐玻璃层(4)；其中，位于含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜下面的加氟的硅酸盐玻璃可以阻挡来自下面的SiN或SiC铜扩散阻挡层中的胺(NHx)位于含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜上面的加氟的硅酸盐玻璃可以阻挡来自上面SiON中的胺(NHx)和来自铜等离子体处理中的胺(NHx)，防止含碳的氧化硅(SiOC)低介电常数介质膜灰化损坏，和增大低介电常数含碳的氧化硅(SiOC)介质膜的硬度，以利于后续的CMP处理。在这样构成的低介电常数介质膜中能形成连接上层和下层互连线的高质量的例如铜栓的导电栓。
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