[发明专利]半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法无效
| 申请号： | 200410018260.8 | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1697137A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 黄榕旭;辛丕闻;刘建海;孙波;姚冬霞 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/443 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法，采用物理气相淀积金属铝的方法，其中，淀积的过程为分步淀积，首先在孔壁上以不高于第一温度进行第一阶段淀积，淀积浸润层；再以不低于第二温度进行第二阶段淀积，该阶段中，还包括金属铝的回流，第二阶段淀积可反复进行多次；该方法具体包括以下步骤：在亚微米孔的孔壁上，以不高于第一温度淀积浸润层，采用溅射的方式进行淀积；将温度升高，使其不低于第二温度，使金属铝加热回流；维持温度不低于第二温度，在孔内进行淀积，也采用溅射的方式；抽真空使其基础压强低于一设定值；其中，使金属铝加热回流和在孔内进行淀积的步骤可反复进行多次。该方法能较好地解决高深宽比的孔的填充。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 中淀积铝 填充 微米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法，采用物理气相淀积金属铝的方法，其特征在于，淀积的过程为分步淀积，首先在孔壁上以不高于第一温度进行第一阶段淀积，淀积浸润层；再以不低于第二温度进行第二阶段淀积，该阶段中，还包括所述金属铝的回流，所述第二阶段淀积可反复进行多次；所述填充孔的方法具体包括以下步骤：在所述亚微米孔的孔壁上，以不高于所述第一温度淀积浸润层，采用溅射的方式进行淀积；将温度升高，使其不低于所述第二温度，使所述金属铝加热回流；维持温度不低于所述第二温度，在所述孔内进行淀积，也采用溅射的方式；抽真空使其基础压强低于一设定值；其中，所述使金属铝加热回流和在孔内进行淀积的步骤可反复进行多次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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