[发明专利]改进的双层布线双极型器件制造工艺有效
| 申请号： | 200410018261.2 | 申请日： | 2004-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1697145A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 詹佳文;陈惠明 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/328 | 分类号： | H01L21/328;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双层布线双极型器件制造工艺，其中进行基区推进时温度为950℃～1000℃，基区推进的时间为100分钟；进行发射区推进时温度为950℃～1000℃，发射区推进的时间为30～60分钟；采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区，注入的剂量不低于E15，注入离子的能量为20～80KeV。本发明的制造工艺能制造的器件的最小开孔尺寸为1.5×1.5μm，这样大大缩小了芯片尺寸。且其基区结深为0.7μm，发射区结深为0.4μm，这样可制成的高频器件，用于高频场合。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 双层 布线 双极型 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种改进的双层布线双极型器件制造工艺，具有常规的双层布线双极型制造工艺步骤，其特征在于，该工艺步骤中：进行基区推进时温度为950℃～1000℃，基区推进的时间为100分钟；进行发射区推进时温度为950C～1000C，发射区推进的时间为30～60分钟；采用大剂量注入的砷(As)离子作为发射区，注入的剂量不低于E15，注入离子的能量为20～80KeV。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
