[发明专利]改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法无效
| 申请号： | 200410018454.8 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700422A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 杨织森;蔡孟锦 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3205;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法，它利用包含氢气与惰性气体的混合等离子体来进行金属硅化物工艺前的清洗工艺，来达到有效地避免通用一般工艺由于使用离子溅射而导致在栅极间隙壁产生硅离子的再次沉积的现象，从而有效降低桥连现象的产生几率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 金属硅 工艺 产生 现象 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善金属硅化物工艺产生桥连现象的清洗方法，包括下列步骤：提供一已形成有多个隔离区域、晶体管栅极结构与门极间隙壁等组件的半导体基底；以氢氟酸溶液对所述半导体基底进行一清洗工艺；以混有氢气与惰性气体的等离子体来去除所述半导体基底表面自然氧化物；在所述半导体基底上沉积一金属层；以及对所述半导体基底进行一快速热退火工艺，使所述半导体基底上的具有硅/多晶硅材质且与所述金属层相接触的接触面，形成一金属硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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