[发明专利]多重曝光的方法无效
| 申请号： | 200410018456.7 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700102A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郑铭仁;傅国贵 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多重曝光的方法，它是在一次曝光后，再通过改变照明系统或旋转原曝光时的照明系统来改变原曝光时的曝光量与焦聚后，再进行一次曝光，以修正单次曝光所可能引起的转移至半导体基底的图形曝光不良的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 多重 曝光 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多重曝光的方法，包括下列步骤：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成一光刻胶层；以一光掩膜对所述光刻胶层进行一第一次曝光工艺；以及利用不同于第一次曝光工艺的曝光量与焦聚条件以所述光掩膜对所述光刻胶层进行一第二次曝光工艺。
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