[发明专利]铜导线镶嵌结构无效
| 申请号： | 200410018458.6 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700462A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 郭强 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铜导线镶嵌结构，它利用在内金属介电层中，形成一具有较内金属介电层的介电常数值高且电性与机械性能均较内金属介电层优异的介电层，来防止当VLSI进入深亚微米工艺时，因选用介电常数较低的内金属介电材质来与铜导线搭配，所引起的漏电流并提升内金属介电层电击穿的寿命与铜导线与内金属介电层间的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 导线 镶嵌 结构 | ||
【主权项】：
1.一种铜导线镶嵌结构，它包括有：一半导体基底，其上具有数个MOS组件；一内金属介电层，它位于所述半导体基底上；一第一介电层，它位于所述内金属介电层上；一第二介电层，它位于所述第一介电层上；一第三介电层，它位于所述第二介电层上，其中所述第一、第三介电层的电学性能与机械性能优于所述第二介电层；一铜导线，它贯穿所述第一、第二、第三介电层，且所述铜导线的底部与所述第一介电层相邻；一覆盖层，它覆盖在所述第三介电层与所述铜导线上；以及一第四介电层，它位于所述覆盖层上。
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