[发明专利]能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺无效
| 申请号： | 200410018464.1 | 申请日： | 2004-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1700439A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 金平中 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺，它对已完成浅沟槽刻蚀工艺的基底进行一以氧化氮或一氧化二氮作为气氛的退火工艺，使在浅沟槽表面形成一氧－氮－氧化物层后，再接着沉积一填满浅沟槽的氧化物层，以形成一个能避免一般的浅沟槽会产生漏电流与击穿问题的浅沟槽隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 边缘 效应 沟槽 隔离工艺 | ||
【主权项】：
1.一种能降低边缘效应的浅沟槽隔离工艺，包括下列步骤：提供一基底；在所述基底上依序形成一垫氧化层、一氮化硅层与一图案化光刻胶层；以所述图案化光刻胶为掩膜，刻蚀所述氮化硅层、所述垫氧化层及所述基底，以形成多个浅沟槽，而后去除所述图案化光刻胶层；在所述浅沟槽表面形成一氧-氮-氧化物层；以及在所述基底表面形成一氧化物层，使其填满所述浅沟槽，而后去除所述基底表面多余的所述氧化物层、所述氮化硅层与所述垫氧化层，以形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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