[发明专利]具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法无效
申请号: | 200410018746.1 | 申请日: | 2004-03-16 |
公开(公告)号: | CN1564268A | 公开(公告)日: | 2005-01-12 |
发明(设计)人: | 李玲霞;吴霞宛;陈长庆 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | H01B3/10 | 分类号: | H01B3/10;H01B3/12;C01G1/02;C04B35/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法。本发明的材料按重量百分比包括以下各组分:Ag2O3:36~45%;Nb2O5:35~43%;Ta2O5:12~20%;Bi2O3:0.5~4.0%;Sb2O5:1.5~5.5%。本发明的方法采用中温烧结工艺,在节能的同时有效的降低成本。本发明涉及的材料具有很高的介电常数及较低的损耗值,容量温度系数可以连续可调。 | ||
搜索关键词: | 具有 介电常数 高频 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种具有高介电常数的高频介质材料,其特征是,按重量百分比包括以下各组分:Ag2O3: 36~45%;Nb2O5: 35~43%;Ta2O5: 12~20%;Bi2O3: 0.5~4.0%;Sb2O5: 1.5~5.5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410018746.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。