[发明专利]具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410018746.1 申请日: 2004-03-16
公开(公告)号: CN1564268A 公开(公告)日: 2005-01-12
发明(设计)人: 李玲霞;吴霞宛;陈长庆 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: H01B3/10 分类号: H01B3/10;H01B3/12;C01G1/02;C04B35/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种具有高介电常数的高频介质材料及其制备方法。本发明的材料按重量百分比包括以下各组分:Ag2O3:36~45%;Nb2O5:35~43%;Ta2O5:12~20%;Bi2O3:0.5~4.0%;Sb2O5:1.5~5.5%。本发明的方法采用中温烧结工艺,在节能的同时有效的降低成本。本发明涉及的材料具有很高的介电常数及较低的损耗值,容量温度系数可以连续可调。
搜索关键词: 具有 介电常数 高频 介质 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种具有高介电常数的高频介质材料,其特征是,按重量百分比包括以下各组分:Ag2O3: 36~45%;Nb2O5: 35~43%;Ta2O5: 12~20%;Bi2O3: 0.5~4.0%;Sb2O5: 1.5~5.5%。
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