[发明专利]影像感测组件半导体晶圆级封装的方法无效
申请号: | 200410019177.2 | 申请日: | 2004-05-05 |
公开(公告)号: | CN1571129A | 公开(公告)日: | 2005-01-26 |
发明(设计)人: | 王鸿仁 | 申请(专利权)人: | 王鸿仁 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L27/14 |
代理公司: | 天津三元专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 郑永康 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种影像感测组件半导体晶圆级封装的方法,主要是在一相当于一影像感测半导体晶圆尺寸的透光薄板表面规划出多个基板矩阵,沿各基板边界以干式蚀刻出多个间隔开的穿孔;在透光薄板表面对应各穿孔位置形成多条导电线路。以胶质材料覆于影像感测半导体晶圆表面或透光薄板表面预计切割在线以及各影像感测区周围;将该透光薄板贴合于该影像感测半导体晶圆表面,并一并透光薄板及影像感测半导体晶圆,以分离出各个晶粒与基板结合的多个影像传感器。本发明利用透光尺寸相当于影像感测半导体晶圆的透光薄板蚀刻多个穿孔,而使得在镀膜后的透光薄板上、下表面形成相互连接的导电线路,其可简化制程及提高生产效率,并获得芯片尺寸规格的封装体积。 | ||
搜索关键词: | 影像 组件 半导体 晶圆级 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像感测组件半导体晶圆级封装的方法,其特征在于,包括以下步骤;一影像感测半导体晶圆表面规划出多个晶粒矩阵,每一晶粒内包含有影像感测区及多个电性连接点;在一相当于该影像感测半导体晶圆尺寸的透光薄板表面规划出相等于晶粒矩阵的多个基板矩阵,沿各基板边界以干式蚀刻出多个间隔开的穿孔,其中穿孔对称地横跨两相邻基板;对应各穿孔位置以物理气相蒸镀在透光薄板表面形成多个不相连导电线路,各导电线路自透光薄板一侧表面沿穿孔内壁延伸至透光薄板另一侧表面;连续地沿影像感测半导体晶圆表面各晶粒边缘覆上一胶质线,胶质线宽为足以包含穿孔;将该透光薄板贴合于该影像感测半导体晶圆表面,并促使各电性连接点对应一导电线路以及相互电性连接,同时使该胶质线贴附于透光薄板相邻的表面,再固化胶质线;一并切割透光薄板及影像感测半导体晶圆,并切割保留每一穿孔两翼侧内壁的导电线路,以分离出各个晶粒与基板结合的多个影像传感器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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