[发明专利]一种硅钢专用氧化镁的制造方法无效
| 申请号： | 200410019740.6 | 申请日： | 2004-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN1594091A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 董广前;王洁;郭超;杨秀英;王继 | 申请（专利权）人： | 天津化工研究设计院 |
| 主分类号： | C01F5/02 | 分类号： | C01F5/02;C01F5/08;C01F5/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300131天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机化工领域。为氧化镁化合物，特别是一种硅钢专用氧化镁的制造方法。用氯化镁水溶液或卤水与氨水反应生产氢氧化镁，进而煅烧成硅钢专用氧化镁。其工艺特征在于：氯化镁水溶液或卤水与氨水连续反应，通过严格反应时间控制氢氧化镁结晶粒径在0.2～2.0微米，然后煅烧、粉碎分级得到氧化镁产品。该产品用于取向硅钢生产的退火隔离剂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅钢 专用 氧化镁 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅钢专用氧化镁的制造方法，其特征在于包括下列工艺步骤：(1)以Mg2+重量百分含量为3％～10％的氯化镁水溶液或卤水和以NH3重量百分含量为2～12％的氨水为原料，控制Mg2+∶NH4OH摩尔比为1∶2.0～2.6，在反应温度为30～70℃，反应时间为10～40分钟，并强力搅拌的反应条件下，连续反应生成氢氧化镁料浆，氢氧化镁料浆经分离、水洗和100～200℃干燥得到粒径范围为0.2～2.0微米的氢氧化镁粉体；(2)在800～900℃煅烧温度，30～60分钟煅烧时间条件下，动态煅烧氢氧化镁成为氧化镁；(3)将氧化镁进行机械式粉碎，粉碎后分级得到堆积密度范围为0.22～0.25g/cm3的硅钢专用氧化镁。
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