[发明专利]透射电镜用薄膜样品的制备方法无效

专利信息
申请号: 200410020531.3 申请日: 2004-05-12
公开(公告)号: CN1696334A 公开(公告)日: 2005-11-16
发明(设计)人: 马爱华;于洪波;刘实;郑华;张滨;王隆保 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;G01N1/28
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种透射电镜用薄膜样品的制备方法,具体步骤为:1)利用磁控溅射方法镀制金属或合金膜,磁控溅射以合金靶为负极,衬底为正极,背底真空度2.0~8.0×10-5Pa;气氛为Ar气氛,真空度6.5~7.5×10-1Pa;电流0.5~2A;电压100~300V;2)在金属或合金膜上冲出圆片;3)将圆片进行双喷减薄或者离子减薄制得电镜观察用的样品。本发明采用磁控溅射的方法,可以获得均匀、致密、易剥离的金属或合金膜,衬底上镀膜的厚度在5~9μm之间,可以直接将磁控溅射镀膜与双喷减薄或者离子减薄相结合制得电镜观察用的样品,解决了电镜用薄膜样品在传统机械减薄过程中容易受到污染、破碎和引入假象的问题。
搜索关键词: 透射 电镜用 薄膜 样品 制备 方法
【主权项】:
1、一种透射电镜用薄膜样品的制备方法,其特征在于:1)利用磁控溅射方法制取金属膜或合金膜,磁控溅射以金属或合金靶为负极,衬底为正极,具体步骤及工艺参数如下:a)将真空室抽真空,使背底真空度达到2.0×10-5~8.0×10-5Pa;b)向真空室通入Ar气,使镀膜气氛为Ar气氛,将镀膜时真空度控制在6.5×10-1~7.5×10-1Pa范围之间;c)溅射电压为100~300V,靶电流为0.5~2A;d)预溅射2~5分钟后再在衬底上溅射镀膜,镀膜时间60~90分钟,使衬底上膜的厚度在5~9μm之间;2)在所述衬底上直接揭下利用磁控溅射方法镀得的金属或合金膜,然后冲出直径为3mm的圆片;3)将所述圆片进行双喷减薄或者离子减薄制得电镜观察用的样品。
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