[发明专利]太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法无效
| 申请号： | 200410020802.5 | 申请日： | 2004-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN1594647A | 公开（公告）日： | 2005-03-16 |
| 发明（设计）人： | 朱德永 | 申请（专利权）人： | 朱德永 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/38;G02B1/11 |
| 代理公司： | 锦州辽西专利事务所 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 121000辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，为将基体放置在真空溅射室内，以金属或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入反应气体，使金属或硅及其与反应气体生成的反应物的混合物沉积在基体表面，形成吸收层，吸收层厚度为100－150nm；以氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气中任意一种或任意二种或任意三种作为反应气体，在真空溅射室内同时通入硅烷，反应气体与硅烷的流量比为2∶1～8∶1倍，以铝或硅或活泼过渡元素金属为靶材，在减反射层溅射靶表面周围形成辉光放电区，在吸收层上沉积减反射层，减反射层厚度为40nm－100nm。优点是吸收比高、发射比低、沉积速率快，生产效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳 光谱 选择性 吸收 涂层 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1、一种太阳光谱选择性吸收涂层的沉积方法，其特征是：将基体放置在真空溅射室内，以金属或硅为靶材，使吸收层溅射靶溅射出金属或硅，在真空溅射室内通入反应气体，使金属或硅及其与反应气体生成的反应物的混合物沉积在基体表面，形成吸收层，所说的吸收层厚度为100-150nm；以氧气、氮气、一氧化碳、二氧化碳、四氟化碳、空气中任意一种或任意二种或任意三种作为反应气体，在真空溅射室内同时通入硅烷，所说的反应气体与硅烷的流量比为2∶1～8∶1倍，以铝或硅或活泼过渡元素金属为靶材，在减反射层溅射靶表面周围形成辉光放电区，在吸收层上沉积减反射层，所说的减反射层厚度为40nm-100nm。
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