[发明专利]一种复合金属钯膜或合金钯膜及其制备方法有效
申请号: | 200410021025.6 | 申请日: | 2004-01-09 |
公开(公告)号: | CN1640530A | 公开(公告)日: | 2005-07-20 |
发明(设计)人: | 徐恒泳;侯守福;李文钊;江魁;袁立祥 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | B01D71/02 | 分类号: | B01D71/02;C23C18/42 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 张晨 |
地址: | 116023*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种复合金属钯膜或合金钯膜,其特征在于金属钯膜或合金钯膜几乎全部覆于多孔底膜的外表面,而很少沉积在底膜的孔道中。其制备包括在多孔底膜外表面通过敏化活化形成钯核、化学镀形成钯膜步骤,其特征在于:在敏化活化形成钯核前,将修饰剂添入多孔底膜的孔道中,所述修饰剂为能够通过后处理过程去除或部分去除的物质,或通过加热能够使其体积明显收缩的物质;在化学镀形成钯膜或合金钯膜后,通过后处理过程去除或部分去除所述修饰剂,或通过加热使修饰剂的体积明显收缩。通过本发明的方法,所制备的复合钯膜或合金钯膜的底膜孔道对于透氢能够提供几乎自由的通道,将具有高的透氢量和透氢选择性。另外,本发明还具有工艺简单,应用范围广和制造成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 金属 合金 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种复合金属钯膜,由化学镀方法制备,其特征在于:所述复合金属钯膜中,钯膜几乎全部覆于多孔底膜的外表面,而很少沉积在底膜的孔道中。
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