[发明专利]一种高纯二氧化硅的生产方法无效
| 申请号： | 200410022593.8 | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1579936A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 翟胤长;张晓红 | 申请（专利权）人： | 云南化工实业股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/113 | 分类号： | C01B33/113;C01B33/154 |
| 代理公司： | 云南协立专利事务所 | 代理人： | 旃习涵;卢汉章 |
| 地址： | 650223云南省昆明市东风东路*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯二氧化硅的生产方法。该法以工业氟硅酸钠为原料，用去离子水进行溶解，制成饱和溶解液，经重结晶纯化后，再用去离子水溶解，煮沸，滴加离子膜烧碱溶液，搅拌均匀，真空抽滤；滤饼用去离子水混匀，加入浓度为25％～35％的硫酸，搅拌均匀，真空抽滤；滤饼用90℃～95℃去离子水洗涤2～4次，经数次干燥、灼烧、冷却，研磨，即为所需的高纯二氧化硅成品。本发明原料价廉易得，工艺简单，反应条件温和，成本低，经济效益好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 二氧化硅 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高纯二氧化硅的生产方法，该方法包括下述顺序的步骤：(2)以工业氟硅酸钠为原料，用去离子水进行溶解，制成饱和溶解液，在-6℃～-3℃下，经3～5次重结晶纯化；(2)加入45～55倍重量的去离子水溶解，煮沸，缓缓滴加浓度为25％～35％氢氧化钠溶液，氢氧化钠与氟硅酸钠重量比为1∶1.1～1.3，在90℃～95℃下搅拌8～12分钟，然后真空抽滤；(3)滤饼用38～42倍重量的去离子水混匀，加入去离子水体积的8％～10％、浓度为25％～35％的硫酸，搅拌均匀，真空抽滤；(4)重复步骤(3)的操作；(5)滤饼用90℃～95℃去离子水洗涤2～4次，在100℃～110℃下干燥20～30分钟，移至电炉中，在940℃～960℃下灼烧40～45分钟，冷却至室温；(6)将步骤(5)的所得物用90℃～95℃去离子水洗涤2～3次，在100℃～110℃下加热干燥20～30分钟，移至电炉中，在940℃～960℃下灼烧30～40分钟；冷至室温，经研磨，即为所需的高纯二氧化硅成品。
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